تصميم دارة جهاز متحكم بالحرارة

سنوضِّح في هذا المقال طريقةَ تصميم مفتاح switch المتحكّم فيه بالحرارة، وذلك باستخدام حسّاس الحرارة LM35  إذ تتغير حالة المفتاح من قطع off إلى وصل on تلقائياً عند درجة حرارة معينة. تمهيد: إن المفتاح المتحكم فيه بالحرارة هو جهازٌ أو دارة تعمل اعتماداً على درجة حرارة وسطى، وتتألف من: حساسٍ حرارة ووحدة تحكم ومِفتاح، وشكلها […]

Read More

منظّم الجهد 7805: مبدأ عمله وتطبيقاته

مقدمة: سنتعلّم في هذا المقال عن أكثر دارات تنظيم الجهد استخداماً، وهو منظّم الجهد 7805. يُعدّ الحصول على جهد ثابت منتظم أمراً ضروريّاً جدّاً للعديد من الأجهزة الإلكترونيّة، والسبب يعود إلى وجود مواد نصف ناقلة تتطلّب مجال محدّد من قيم التيّار والجهد لتعمل، بالتالي هذه الأجهزة من الممكن أن تتضرّر في حال تجاوز هذا المجال. […]

Read More

الشحنة الكهربائيَّة ومبدأ عمل الكهرباء

سنشرح في هذا المقال الشحنة الكهربائيَّة والتيّار الناتج عنها، بالإضافة إلى فهم مبدأ عمل الكهرباء. أولاً: بنية الذرّة لفهم الكهرباء سنبدأ أوّلاً بالذرّة. المادّة مصنوعة من الذرّات، أجسامنا مصنوعة من الذرّات، كلّ ما هو موجود في الكون مصنوع من الذرّات، حيثُ لا يمكن رؤية الذرّة بالعين المجرّدة، لذلك سنستخدم نموذجاً مبسّطاً ليساعدنا على فهم بنية […]

Read More

كيف نحصل على مصدر جهد متغير من منظم الجهد الثابت 7805؟

مقدّمة: سنتعلّم في هذا المقال طريقة تصميم وحدة تغذية ذات جهد متغير بواسطة منظّم جهد ثابت، كالدارة المتكاملة 7805، حيث أنّ المجموعتين 78xx و 79xx هما مجموعتا منظّمات جهد ذات ثلاث أرجل، مع الأخذ بعين الاعتبار أنّ المجموعة 78xx تعطي جهداً موجباً، وبالتالي يمكنك استخدامها لتصميم وحدة تغذية بجهد +5V (أي تستطيع استخدام الدارة 7805)، […]

Read More

ترانزستور دارلنغتون: عمله وتطبيقاته

يتكوّن ترانزستور دارلنغتون من ترانزستورين ثنائيّي الوصلة بحيث يوفّر ربح تيار أعلى. سُمِّي ترانزستور دارلنغتون بهذا الاسم نسبةً إلى مخترعِهِ سيدني دارلنغتون Sidney Darlington، وهو عبارة عن ترتيب خاصّ لترانزستورين ثنائيي الوصلة Bipolar Junction Transistors (BJT) موصولين مع بعضهما البعض إمّا نوع NPN أو نوع PNP، حيثُ يتّصل باعث الترانزستور الأوّل مع قاعدة التّرانزستور الثّاني […]

Read More

ترانزستورات الأثر الحقلي ذات أوكسيد معدن - نصف الناقل (MOSFET)

ترانزستورات الأثر الحقلي ذات أوكسيد معدن – نصف الناقل (MOSFET)

تُعوملتْ هذه الترانزستورات (metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFET) معاملةَ الترانزستورات الحقليّة ذوات وصلة (JFET)، لكنها تختلف عنها بالبوابةِ المعزولة كهربائيًا عن قناةِ التّوصيل. تملك أنواع أُخر من ترانزستوراتِ الأثرِ الحقليِّ (FET) بوابةَ دخلٍ معزولة كهربائيًّا عن قناة نقل التيار كما هو الحالُ بالنسبة إلى ترانزستورات (JFET)؛ ولذلك تدعى هذه الترانزستورات ترانزستورات الأثرِ الحقلي […]

Read More

jfet

ترانزستور الأثر الحقلي JFET

تتعدَّد أَنواع التّرانزستورات وتختلف خصائص كلّ منها ومزاياها وعيوبها، وأيضاً استخداماتها، فمنها ما يُستخدم كمفتاح أو مُضخّمات بحسب تكوين الدّارة الكهربائيّة. سنستعرض في هذه المقال أحد أنواع ترانزستورات الأثر الحقلي (Field Effect Transistor (FET، وهو النّوع Junction Field Effect ويُسمَّى اختصاراً بـ JFET. محتويات المقال: مقدمة ترانزستور الأثر الحقلي ذو الوصلة JFET   انحياز القناة N_Channel […]

Read More

ملخص عن الترانوستورات

كلّ ما تحتاج أن تعرفه عن الترانزستور

يهدف هذا المقال إلى تلخيص أهمّ النقاط في الترانزستورات ثنائيّة القطبيّة والترانزستورات الحقليَّة FET، حيث من خلال معرفتنا السابقة ببنية ومبدأ عمل الترانزستورات ثنائيّة القطبيّة BJT بنوعيها NPN وPNP بالإضافة إلى الترانزستورات ذات الأثر الحقلي FET بنوعيها الترانزستورات الحقليَّة ذات البوابة المعزولة وذات البوابة المتصلة سنقوم بتلخيص أهمّ النقاط التي تخصُّهم كما يلي: أولاً: الترانزستورات […]

Read More

المشتت الحراري تعريفه وأنواعه و أهميته

المشتت الحراري : تعريفه وأنواعه و أهميته

ما المشتتُ الحراري؟ ما أنواعُ المشتتات الحراريّة؟سنتعرّف في هذه المقالة المشتتَ الحراريَّ والجوانبَ المختلفة للمشتتاتِ الحرارية، مثلًا: ما المشتتُ الحراري؟ ما أنواعُ المشتتات الحرارية؟ ما التبريدُ الفعّال وغيرُ الفعال؟ مقدمة: هناك فرعٌ خاصّ في التّصميم الهندسي الحديث مخصوصٌ بالعملِ في الطاقة وديناميكيّة الحرارة وانتقالِها. يسمى هذا الفرعُ التّصميمَ الحراريَّ. وجدنا أنَّ المكونات المستخدمةَ في التّصميم […]

Read More

خصائص وبنية ترانزستورات PNP

خصائص وبنية ترانزستورات PNP

إنّ ترانزستور PNP معاكسٌ تماماً للترانزستور NPN ؛حيث يُطبَّق جهدٌ مستمرّ موجبٌ على الباعث، وتكون بنيته بحيث يتوضَّع الديودان المكوّنان للترانزستور بشكل معكوس (موجب-سالب-موجب)، ويشير السهم المرسوم على رمز الترانزستور باتّجاه الداخل، وبالتالي تكونُ قطبيّة الترانزستور معكوسة أيضاً ، فيسحَبُ التّيّارَ باتجاه القاعدة على عكس ترانزستور NPN الذي يحتاج وجودَ تيّار على قاعدته ليعملَ . […]

Read More