تعدُّ القواطع الترانزستوريّة مثاليّة لوصل وقطع أجهزة الجهد المنخفض؛ وذلك باستخدام الترانزستور في حالتي الإشباع والقطع. عند استخدام الترانزستور كمضخم للإشارة المتناوبة يطبق جهد الانحياز على القاعدة بحيث يعمل الترانزستور ضمنَ المنطقة الفاعلة طوالَ الوقت أيْ بحيث يتم استخدامُ الجزء الخطي من منحنيات خصائص الخرج. ولكن يمكن استخدام كلّ من الترانزستورين NPN وPNP كقواطع الحالة […]
الوسم: ترانزستور ثنائي القطبية
ترانزستورات NPN: بنيتها وتطبيقاتها ومنحنيات عملها
ترانزستورات NPN هي عنصرٌ بثلاثِ طبقات وثلاثةِ مخارجَ يمكن أن تعمل إمّا مضخماتٍ وإمّا قواطعَ (مفاتيح) إلكترونية. وجدنا في المقال السّابق أنّ الترانزستورَ ثنائيَّ القطبية BJT يأتي بشكلين أساسيين. نمطِ NPN (سالب-موجب-سالب) ونمطِ PNP (موجب-سالب-موجب). الشَّكل الأكثرُ استخدامًا من الترانزستورات هو النمطُ NPN. كما تعلمنا أن وصلاتِ الترانزستور ثنائيّ القطبية يمكنُ أن تنحاز بواحدة من […]
الترانزستور ثنائي القطبيّة BJT: بنيته وميزاته
رأينا في دروس الديودات أو الثنائيات (DIODE) أنّ الديودات مكوّنة من قطعتين من مواد نصف ناقلة لتشكّل موصل بسيط من النوع PN، ودرسنا خصائصها ومميّزاتها.والآن إذا قمنا بوصل ديودين مفردين معاً، سنحصل على وصلتين PN على التسلسل تشتركان بنقطة من النوع P أو N. إنّ دمج هذين الديودين ينتِج قطعة مكوّنة من ثلاث طبقات وبثلاثة […]